RTP快速退火
RTP（Rapid Thermal Processing）快速熱處理，是在非常短的時(shí)間內(nèi)將整個(gè)硅片加熱至400~1300℃溫度范圍內(nèi)的一種方法，相對于爐管退火，它具有熱預(yù)算少，硅中雜質(zhì)運(yùn)動小，玷污小和加工時(shí)間短等特點(diǎn)。
適用產(chǎn)品：TC Wafer晶圓測溫系統(tǒng)
